[신소재 기초實驗] 산화공정
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작성일 24-06-25 04:02
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산소분자(O2)등의 산화 종이 우선 SiO2막 표면에 흡착한 후, SiO2막 중을 확산에의해 통과하여 Si 와 SiO2의 계면에 도달하면 그곳에서 Si와reaction(반응)(산화)하여 SiO2 가 형성된다 다시 말해 SiO2 내에서의 실리콘 확산도는 O2 의 확산도보다 매우 작…(skip)
① H2SO4 와 H2O2 를 4:1로 만든 용액에 Si wafer를 100℃, 1min 동안 담가 놓는다.
④ 다시 D.I water로 충분히 헹군다.
① furnace를 1200℃까지 올린다.
③ Si wafer를 B.O.E에 넣어 10sec동안 etching한다. 실리콘 산화막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하는 역할 뿐 아니라 반도체소자에 서 매우 우수한 절연체로 전류와 도핑물질의 이동을 막는데 사용되는 물질로 고품질 의 SiO₂박막을 성장시키는 산화기술은 반도체 공정에서 매우 중요하다.
⑤ Si wafer의 물기를 제거한다.
theory(이론) : 딜-그로브의 열 산화 모델 (Deal-Grove Model of Oxidation)
Si기판을 고온(1000℃ 전후)하에서 산소 등의 산화성 가스에 노출시키면, Si표면이 산화되어 SiO2 막이 형성된다
SiO2 막의 질과 두께를 제어하기 위해서는 산화기구를 알아야한다.
② D.I (de-ionized) water로 충분히 헹군다.
② Si wafer를 furna
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[신소재 기초實驗] 산화공정
설명
題目 : 산화 공정 (Oxidation)
목적 : 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해 실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성 시키는 공정이다.
