[자연과학][일반물리학 실험] 전기 저항(옴의 법칙 및 다이오드 特性)
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작성일 24-02-06 16:14
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[일반물리학 實驗] 전기 저항(옴의 법칙 및 다이오드 characteristic(특성))
1. 實驗 title proper(제목) : 전기 저항(옴의 법칙 및 다이오드 characteristic(특성))
2. 實驗 목적 : 저항의 양단에 걸리는 전압에 따른 전류를 측정(測定) 하여 일반적인 저항에 대한 옴의 법칙을 확인하고 반도체 다이오드의 전기(정류)characteristic(특성)을 측정(測定) 하여 정류characteristic(특성)을 확인한다.
3. 관련 theory(이론) :
A. 전기저항(옴의 법칙, 다이오드 characteristic(특성))
① 옴의 법칙 : 저항체에서 양단에 걸리는 전압V에 전류I가 비례하는데, 그 비율을 저항R이라 하며 V〓IR로 표현할수있다
여기서 저항R은 물질의 종류, 모양, 크기 및 온도에 influence을 받는다. 그리고 그 둘을 접합시켜…(To be continued )
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다. 또한 여러 개의 저항과 기전력원이 연결된 회로의 측정(測定) 을 통해 Kirchhoff의 법칙을 實驗적으로 확인한다.
② 다이오드 characteristic(특성) : Ⅳ족 원소인 실리콘이나 게르마늄은 결정상태에서 4개의 원자가 전자들이 나머지 4개의 원자와 강한 공유 결합을 형성하며 이에 속박되어 아주 큰 저항을 지님.
이 결정에 Ⅲ족,Ⅴ족 원소 불순물을 첨가하면 전자는 비교적 자유롭게 움직일 수 있게 된다 Ⅴ족 원소를 첨가하여 만든 반도체를 n형 반도체라 하며 Ⅲ족 원소를 첨가한 것은 p형 반도체라 한다.
